HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence... » tel que le SiC et le GaN, avec des gaps respectifs de 3,2 eV et 3,4 eV. Ces semiconducteurs permettent...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
élastique ne sont pas favorables, notamment pour la fabrication de lasers. La famille des nitrures (GaN, Al... de boîtes quantiques de GaN. L'une est recouverte d'AlN, l'autre est en surface. Il s'agit de pyramides... de GaN et d'InGaN dopées avec des ions de terres rares. La figure 4 , qui représente l'image... obtenue par filtrage de Fourier d'un cliché de microscopie électronique d'une boîte de GaN, illustre...
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élastique ne sont pas favorables, notamment pour la fabrication de lasers. La famille des nitrures (GaN, Al... de microscopie électronique à haute résolution de boîtes quantiques de GaN. L’une est recouverte d’Al... que nous utilisons pour la croissance de boîtes quantiques de GaN et d’InGaN dopées avec des ions de terres rares... électronique d’une boîte de GaN, illustre une propriété remarquable des boîtes quantiques : l’interface GaN/Al...
Les articles Recherche et Innovation présentent des technologies en cours de développement, émergentes, qui n'ont pas encore atteint leur pleine maturité pour un développement industriel mais sont prometteuses.
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