Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Cet article a pour objet l’étude des contraintes de commutation. En pratique, les composants semi-conducteurs, avec leurs caractéristiques et leurs imperfections, impactent grandement les paramètres de fonctionnement de la cellule, comme la vitesse de commutation, le courant limité et le couplage entre les électrodes de puissance et de commande. La cellule de commutation est même parfois modifiée (éléments mis en série ou en parallèle, ou non dissipatifs) afin de contourner le problème de dispersion de ces paramètres. Les concepteurs de circuits de conversion d'énergie proposent maintenant des circuits d'aide à la commutation permettant de gérer ces contraintes (pertes, CEM, dv /dt, di/dt...). Pour finir, la notion de commutation douce, qui permet d’écarter une partie de ces contraintes, est introduite.
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This article is a study of commutation constraints. In practice, semiconductor components, with their characteristics and imperfections, significantly impact the operating parameters of the cell, such as the switching speed, the limited current and the coupling between the power and control electrodes. The switching cell is at times modified (elements in series or in parallel, or non-dissipative) to circumvent the dispersion issue of these parameters. Energy recovery circuit designers are now offering switching-aid circuits to manage these constraints (losses, EMC, dv/dt, di/dt...). To conclude, the concept of soft-switching, that enables the removal of certain constraints, is presented.
Auteur(s)
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Henri FOCH : Ancien Professeur de l'Institut National Polytechnique de Toulouse, Laboratoire d'Électrotechnique et d'Électronique Industrielle (LEEI)
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Michel METZ : Professeur Émérite de l'Institut National Polytechnique de Toulouse, LEEI
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Thierry MEYNARD : Directeur de Recherche au CNRS, LEEI
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Hubert PIQUET : Professeur de l'Institut National Polytechnique de Toulouse, LEEI
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Frédéric RICHARDEAU : Chargé de Recherche au CNRS, LEEI - avec la collaboration de , Maître de Conférences de l'INPT, LEEI, , Professeur de l'INPT, LEEI, , Maître de Conférences de l'IUFM Toulouse, LEEI, , Maître de Conférences de l'INPT, LEEI et , Chargé de Recherches au CNRS -
INTRODUCTION
Une des conclusions fondamentales de l'étude d'une cellule de commutation composée de deux interrupteurs, deux sources et d'aucun élément réactif est que le point de fonctionnement de l'interrupteur commandé doit traverser une zone du plan (v K , i K ) en passant par le point (V, I) correspondant à une puissance instantanée très importante pendant la durée de la commutation (cf. [D 3 076], § 2). Afin de limiter les pertes correspondant à ce trajet dans la zone dissipative appelées pertes par commutation, il est important de réaliser cette commutation le plus rapidement possible. La vitesse de commutation dépend notamment des caractéristiques des semi-conducteurs et de la manière dont ils sont commandés, et l'amélioration de cette caractéristique constitue un des objectifs principaux de l'évolution technologique des semi-conducteurs. Il faut cependant noter que l'augmentation des dV/ dt et dI/ dt conduit respectivement à une augmentation des courants induits dans les capacités parasites et des tensions induites dans les mailles des circuits environnants créant ainsi un certain nombre d'interactions généralement indésirables regroupées sous le terme générique de compatibilité électro-magnétique (CEM). Par conséquent, même si l'augmentation des vitesses de commutation constitue un moyen de réduire les pertes par commutation, il serait dangereux d'aller trop loin dans cette voie. Cela est d'autant plus vrai que les commutations rapides accentuent les phénomènes résultant des imperfections des composants (courant de recouvrement des diodes en particulier) susceptibles d'entraîner des pertes supplémentaires et d'exciter des modes oscillatoires rapides. D'autres moyens de réduire les pertes par commutation dans les semi-conducteurs ont ainsi été envisagés.
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Les circuits d'aide à la commutation ne réduisent d'ailleurs pas véritablement les pertes par commutation mais les transfèrent vers des éléments auxiliaires. Ces circuits étaient pratiquement indispensables lorsque les semi-conducteurs de puissance avaient de médiocres performances en commutation, mais aujourd'hui, compte tenu des progrès fulgurants des semi-conducteurs modernes (IGBT notamment), leur usage est quasiment réservé aux applications de très forte puissance (> 1 MW) utilisant des semi-conducteurs de type IGCT.
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Les circuits d'aide à la commutation ont par ailleurs permis d'imaginer le concept de commutation douce qui consiste à modifier légèrement la cellule de commutation afin de réduire les pertes par commutation dans l'interrupteur mais sans les transférer vers des éléments auxiliaires.
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Notons enfin qu'il existe un autre moyen de réduire les contraintes de la cellule de commutation traditionnelle, à savoir la conversion multiniveau. Cette technique consiste à commuter seulement une fraction de la tension ou du courant, ce qui permet de réduire l'énergie dissipée à chaque commutation, d'utiliser des interrupteurs de plus petit calibre qui sont donc plus performants et enfin de réduire la fréquence de commutation sans augmenter l'ondulation résiduelle au niveau des filtres.
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Présentation
Conclusion
En anglais
2. Introduction à la commutation douce
La commutation douce consiste à utiliser un circuit d'aide à la commutation réduit à un unique élément réactif (inductance série pour l'amorçage ou condensateur parallèle pour le blocage) et à accepter que l'autre commutation devienne une commutation spontanée.
L'extrême simplicité du circuit d'aide à la commutation permet alors de le placer au plus près du semi-conducteur, de réduire les éléments parasites et de minimiser ses pertes lors de la commutation commandée. De plus, en rendant l'autre commutation spontanée, on obtient un cycle complet de commutation théoriquement sans pertes. Le fait de rendre une des commutations d'un interrupteur spontanée a plusieurs conséquences importantes :
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du point de vue de la commande, un degré de liberté est perdu (on ne commande plus l'instant où a lieu la commutation spontanée), ce qui nécessite de reconsidérer les méthodes de réglage du transfert d'énergie ;
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le reste du circuit doit fournir les conditions nécessaires à la commutation spontanée ; selon les cas, ces conditions peuvent résulter de la commutation commandée d'un autre interrupteur, de l'inversion d'une des sources ou de l'action des éléments réactifs ajoutés à la cellule de commutation ;
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l'interrupteur doit être ou devenir un interrupteur « 3 segments » car une commutation spontanée se fait par changement de quadrant.
2.1 Degrés de liberté
Selon le type de conversion envisagé, la réduction du nombre de degrés de liberté se traduit différemment.
HAUT DE PAGE
A priori un seul interrupteur commandé, donc un seul degré de liberté.
Avec des sources continues non nulles, la commutation spontanée n'a pas lieu et la cellule reste figée dans un état stable.
En associant des éléments réactifs à l'interrupteur commandé, chaque commutation commandée peut déclencher une oscillation susceptible de ramener à zéro la tension ou le courant et déclenchant ainsi la commutation spontanée. Dans un tel système, appelé « quasi résonnant »...
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