Article

1 - DIMENSIONNEMENT

2 - PROTECTION CONTRE LES COURTS-CIRCUITS

3 - TRANSISTORS LOW SIDE

4 - TRANSISTORS HIGH SIDE

5 - IGBT DE FORTE PUISSANCE

Article de référence | Réf : D3233 v1

MOSFET et IGBT : circuits de commande

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 août 2003

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RÉSUMÉ

Cet article présente les circuits de commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT. Il donne des éléments de dimensionnement et de protection contre les court-circuits. Puis il fournit des exemples de circuit de commande pour transistor low side sans isolation et pour transistor high side. Enfin les principes de commande des transistors IGBT de très fortes puissances sont présentés, avec des exemples concrets d'application.

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Auteur(s)

  • Stéphane LEFEBVRE : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’École normale supérieure de Cachan - Maître de conférences au Conservatoire national des arts et métiers

  • Bernard MULTON : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’université de Paris 6 - Professeur des Universités à l’École normale supérieure de Cachan – Antenne de Bretagne

INTRODUCTION

Les contextes et les principes de la commande des composants MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect) et IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ont fait l’objet des articles Commande des semi-conducteurs de puissance : contextes et Commande des semi-conducteurs de puissance : principes.

Dans cet article sont développés les circuits de commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT. Des exemples de circuit de commande pour transistor low side sans isolation et pour transistor high side sont donnés.

Les circuits de commande pour composants bipolaires de puissance sont étudiés en Composants bipolaires : circuits de commande.

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-d3233


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - International Rectifier -   Gate drive characteristics and requirements for HEXFETs  -  . Note d’application, AN-937.

  • (2) - International Rectifier -   Use gate charge to design the gate drive circuit for power mosfets and IGBT  -  . Note d’application AN-944.

  • (3) - RÜEDI (H.) -   Intelligent interfaces between power and control : gate drivers for IGBT  -  . Application note, Infineon.

  • (4) - RÜEDI (H.), KÖHLI (P.) -   New drivers with active clamping for high power IGBT  -  PEE 2000.

  • (5) - RICHARDEAU (F.), BAUDESSON (P.), MEYNARD (T.), TURPIN (C.) -   Fail-Safe capability of a high voltage inverter source  -  . The european physical journal applied physics, 15, pp. 189-198, 2001.

  • (6) -   *  -  IXYS, Isosmart, half bridge driver chipset, Datasheet IXYS.

  • ...

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