Bibliographie & annexes
Présentation
En anglais
RÉSUMÉ
Les composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences peuvent être divisés en quatre groupes : les composants discrets non linéaires, les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence, les composants discrets tripôles et les circuits intégrés monolithiques micro-ondes. Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants sont précisés, ainsi qu’un état de l’art des performances obtenues à ce jour en laboratoire et en production de série.
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The semiconductor components used in hyperfrequency systems can de divided into four groups: discreet non-liner components, discreet components allowing for the generation of hyperfrequency power, tripole discrete components and monolithic microwave integrated circuits. The physical principles ruling the operation of these various components are precised as well as the state of the art performances obtained to date in laboratories and series production.
Auteur(s)
-
Gilles DAMBRINE : Professeur à l'Université des Sciences et Technologies de Lille
-
Sylvain BOLLAERT : Maître de conférences à l'Université des Sciences et Technologies de Lille
INTRODUCTION
Cet article a pour but de présenter les différents composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences. Ces composants peuvent être divisés en quatre groupes.
1) Les composants discrets non linéaires (diodes Schottky, PIN et varactors) qui permettent de traiter les signaux hyperfréquences en modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase (détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs).
2) Les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence : ce sont principalement les diodes à avalanche et temps de transit et les diodes à effet Gunn.
3) Les composants discrets tripôles (transistors à effet de champ ou transistors bipolaires) qui permettent non seulement l'amplification faible bruit ou l'amplification de puissance des signaux mais également la génération de puissance hyperfréquence (oscillateurs).
4) Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une fonction complète.
Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants seront précisés et un état de l'art des performances obtenues à ce jour tant pour des composants de laboratoire que pour des composants commerciaux sera donné en termes de fréquences limites, puissance, rendement, gain, facteur de bruit, etc.
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Tripôles (transistors)
En anglais
2. Dipôles (diodes)
Les composants semiconducteurs utilisés en hyperfréquences peuvent se diviser en dipôles (diodes) et tripôles (transistors). Les dipôles (les diodes) peuvent à leur tour se diviser en dipôles actifs, c'est-à-dire capables de génération de puissance hyperfréquence (amplificateurs, oscillateurs) et en dipôles passifs non linéaires nécessaires aux fonctions mélange, multiplication de fréquence, modulation, limitation de puissance, etc.
2.1 Dipôles passifs non linéaires
La structure d'une diode Schottky est représentée sur la figure 3. Elle est constituée d'une jonction métal-semiconducteur et d'un contact ohmique. Pour former la jonction Schottky, les métaux Au, Al, Ti-Al, Ti-Pt-Au sur GaAs et les siliciures sur Si sont déposés par évaporation ou pulvérisation cathodique. La caractéristique statique courant tension I-V d'une barrière Schottky est donnée par l'expression :
avec :
- A* :
- constante de Richardson (8,7 · 104 A · m−2 · K−2 pour GaAs),
- k (= 1,38 · 10−23 J/K) :
- constante de Boltzmann,
- η :
- coefficient d'idéalité, typiquement 1,1,
- S (m2) :
- surface de la diode,
- T (K) :
- température,
- Vb (V) :
- barrière de potentiel,
- Is (A) :
- courant de saturation inverse.
En régime dynamique...
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Dipôles (diodes)
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - FISCHETTI (M.) - Monte Carlo simulation of transport in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures - (Simulation des propriétés de transport dans les semiconducteurs les plus importants par la méthode Monte Carlo). IEEE Trans. Elec. Devices, vol. ED-38, no 3, 1991, p. 634 à 639.
-
(2) - CONSTANT (E.), CARNEZ (B.) - Amplificateur hyperfréquences à diode Gunn, avalanche et Barrit - . L'Onde Électrique, vol. 56, no 8-9, 1976, p. 349 à 357.
-
(3) - ROLLAND (P.A.), SALMER (G.), CONSTANT (E.), FAUQUEMBERGUE (R.) - Comparative frequency behaviour of GaAs, InP and GaInAs transferred electron devices. Dérivation of a simple comparative criterion - (Comparaison des comportements des diodes à transfert d'électrons en fonction de la fréquence. Déduction d'un critère de comparaison simple.) IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-28, no 3, 1981, p. 342 à 343.
-
(4) - CARNEZ (B.), CAPPY (A.), KASZYNSKI (A.), CONSTANT (E.), SALMER (G.) - Modelling of a submicrometer gate field-effect transistor including effects of non stationary electron dynamics - (Modélisation des transistors à effet de champ à grille submicronique incluant les effets de la dynamique électronique...
ANNEXES
1 Principaux fabricants de composants semiconducteurs et de circuits intégrés pour hyperfréquences
Alpha Industries Inc (États-Unis)
Litton Solid State (États-Unis)
MA/COM (États-Unis)
Noise Com (États-Unis)
HAUT DE PAGE
Fujitsu (Japon)
Mitsubishi (Japon)
NEC (Japon)
Sony (Japon)
Texas Instruments (États-Unis)
Freescale (États-Unis)
ST Microelectronics (France)
Philips (Pays Bas)
Toshiba (Japon)
Filtronic (Grande Bretagne)
HAUT DE PAGE
Anadigics (États-Unis)
UMS (Allemagne)
OMMIC (France)
Texas Instruments (États-Unis)
TriQuint Semiconductor (États-Unis)
TRW (États-Unis)
M/A COM (États-Unis)
WIN Semiconductors (Taiwan)
Filtronic (Grande Bretagne)
Freescale (États-Unis)
ST Microelectronics (France)
Philips...
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