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RÉSUMÉ
L'optoélectronique-hyperfréquence impose de disposer de photodétecteurs et de commutateurs optiques à hautes performances. En effet, les photodétecteurs rapides de forte puissance optique et les commutateurs optiques directionnels, c'est-à-dire jouant le rôle d'aiguillage optique, sont susceptibles d'être des dispositifs de base pour les systèmes opto-hyperfréquences. Le but de cet article est de présenter les avancées récentes dans le domaine des photodétecteurs rapides susceptibles d'être utilisés en opto-hyperfréquences, d'en donner leur principe de fonctionnement et les performances maximales avec les limitations fondamentales dans le contexte opto-hyperfréquence, ainsi que les différentes technologies de commutateur, en évaluant à chaque fois leur adéquation aux applications opto-hyperfréquences.
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For microwave photonics applications, high performances photodetectors and optical switches are required. High power, high speed photo-detectors and optical switching, for routing optical signal, appear, indeed, as basic devices for microwave-photonic systems. The aim of this paper is to present recent advances in the field of main high speed photodetectors useable for microwave applications, and the different optical switching technologies, and discuss their ability to fulfill the microwave photonic applications requirements.
Auteur(s)
-
Didier DECOSTER : Professeur IEMN, CNRS & Université de Lille 1, France
INTRODUCTION
Les photodiodes classiques, à structure PIN, sont les composants les plus courants. Cependant, l'exigence de la montée en fréquence, notamment pour un fonctionnement dans le domaine millimétrique, implique des photodiodes petites, pour réduire les limitations dues à la capacité et au temps de transit des photoporteurs. Il en résulte, pour les photodiodes PIN ultrarapides, une diminution du rendement quantique et de la puissance optique acceptable par la photodiode. C'est pourquoi des solutions alternatives ont été étudiées. Parmi celles-ci, on peut citer les photodiodes MSM pour leur fréquence de coupure élevée, les PIN de type guide d'onde pour le compromis fréquence élevée/rendement quantique, les photodiodes UTC pour la puissance et les phototransistors à hétérojonction pour leur gain à fréquence élevée, mieux adaptés aux liaisons analogiques que les photodiodes à avalanche. Dans ce qui suit, nous présentons successivement ces différents types de photodétecteurs en commençant par les structures PIN.
Nous nous intéressons aussi à la commutation optique directionnelle, c'est-à-dire au contrôle de la direction d'une onde optique. En terme de dispositif, le commutateur ou la matrice de commutation implique qu'un signal optique injecté à une entrée sera dirigé vers l'une ou l'autre des sorties selon les besoins. C'est en fait une espèce « d'aiguillage » optique. Les technologies permettant ce changement de direction peuvent être classées selon deux catégories : les microsystèmes et la commutation fondée sur la variation d'indice des matériaux. Nous présentons successivement les deux approches, et nous précisons les différents phénomènes physiques permettant de moduler l'indice de réfraction d'un matériau : thermique, acousto-optique, magnéto-optique, électro-optique. Nous explicitons les principales structures de commutateur à onde guidée : réflexion totale, couplage de mode, transformation adiabatique de mode, puis nous expliquons les différentes topologies de matrice de commutation. Nous terminons par l'amplification optique, les cristaux liquides et le tout optique, qui sont des technologies différentes des précédentes.
KEYWORDS
photodetectors | optical switches | microwave photonics | semiconductors
VERSIONS
- Version archivée 1 de nov. 2003 par Béatrice CABON, Jean CHAZELAS, Daniel DOLFI
DOI (Digital Object Identifier)
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3. Conclusion et perspectives
Il apparaît que, par un choix judicieux des structures semi- conductrices, les avancées en matière de photodiodes rapides sont spectaculaires en rendement quantique et en bande passante certes, mais maintenant aussi en puissance ou photocourant maximal.
Il reste cependant la question du coût du composant qui est encore trop élevé pour une pénétration à grande échelle dans les systèmes opto-hyperfréquences. Est-il possible de le réduire de façon significative ? Au niveau de la puce elle-même, on sait que des progrès fantastiques sur la croissance de GaAs sur silicium ont été réalisés ces dernières années. Il deviendrait ainsi possible d'accéder aux matériaux GaNAsSb/GaAs actifs aux longueurs d'onde 1,55 μm dont la croissance pourrait se faire sur substrat silicium pour réduire considérablement le prix de la puce. Mais le coût du composant final vient principalement du boîtier et de sa mise en œuvre. Il conviendrait ici de revisiter complètement le concept associé à la mise en boîtier de la puce, en introduisant une approche nouvelle qui permette une automatisation à grande échelle et bas coût. Cela suppose d'intervenir au-delà des procédés technologiques actuellement mis en œuvre, et véritablement de s'engager dans des concepts nouveaux, à la croisée d'un grand nombre de disciplines : matériaux, hyperfréquences, photonique, technologie...
Pour terminer, montée en fréquence signifie réduction des dimensions, et, si on vise l'ultime, la photodiode-nanofil, par exemple, est un objet susceptible d'intérêt. Cependant, des questions de base se posent. Par exemple, comment coupler efficacement un faisceau optique micronique à un objet de dimensions nanométriques ?
Il est clair que des avancées nouvelles en photodétection pour le domaine opto-hyperfréquence implique de se pencher sur des questions fondamentales, avec peut-être, à la clé, des ruptures technologiques. Ces questions peuvent représenter...
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BIBLIOGRAPHIE
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(1) - DECOSTER (D.), HARARI (J.) - Optoelectronics sensors - . Edition ISTE Ltd. and John Wiley & son, Inc. (2009).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
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Optoélectronique-hyperfréquence. Composants : laser, modulation et liaisons optiques.
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