Présentation
En anglaisAuteur(s)
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Delphine MARRIS-MORINI : Maître de conférences, Université Paris Sud-11, Institut d'électronique fondamentale, France
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Gilles RASIGADE : Post-doctorant, Institut d'électronique fondamentale, France
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Melissa ZIEBELL : Doctorante, Institut d'électronique fondamentale, France
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Papichaya CHAISAKUL : Doctorant, Institut d'électronique fondamentale, France
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Jean-Marc FÉDÉLI : Ingénieur, CEA-Leti, Grenoble, France
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Giovanni ISELLA : Chercheur, L-Ness, Politecnico di Milano, Italie
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Daniel CHRASTINA : Chercheur, L-Ness, Politecnico di Milano, Italie
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Laurent VIVIEN : Chargé de recherche, CNRS, Institut d'électronique fondamentale, France
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Lire l’articleINTRODUCTION
Le modulateur optique est l'un des éléments clefs pour le développement de chaînes de communications optiques dans la filière silicium. Les déploiements récents ont permis d'obtenir des modulateurs en silicium présentant de très bonnes performances de 10 à 30 Gbit/s. Une solution émergente, à base de puits quantiques Ge/SiGe, présente des caractéristiques prometteuses pour la réalisation de structures très compactes et à faibles puissances consommées.
Optical modulators are one of the key building blocks for the development of silicon communication links. Recently, silicon modulators with good performances from 10 to 30 Gbit/s have been demonstrated. An alternative solution based in Ge/SiGe quantum wells is very promising for the demonstration of compact structures with low power consumption.
optoélectronique, photonique silicium, modulation optique, guide d'onde, hyperfréquence, optique intégrée
optoelectronics, silicon photonics, optical modulation, waveguide, radiofrequency, integrated optics
Domaine : Optoélectronique
Degré de diffusion de la technologie : Émergence | Croissance | Maturité
Technologies impliquées : Photonique silicium
Domaines d'application : Communication optique
Principaux acteurs français :
Pôles de compétitivité :
Centres de compétence : CNRS-UPS-IEF, CEA Leti, INL
Industriels : STMicroelectronics, Alcatel Thales 3-5 lab
Autres acteurs dans le monde : Intel, Luxtera, Kotura, Université de Surrey (UK), Université Cornell (US), A*STAR (Singapour)
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5. Remerciements
L'ensemble des résultats présentés dans cet article a été obtenu en collaboration avec le CEA/LETI pour la partie modulateur silicium et le laboratoire L-Ness (Come, Italie) pour la partie multipuits Ge/SiGe. Les auteurs remercient l'ensemble des personnels des salles blanches du CEA/LETI, du L-Ness et de la CTU-IEF-Minerve, et plus particulièrement Jean-René Coudevylle, Xavier Le Roux et Samson Edmond pour leur aide dans le développement des étapes technologiques. Des remerciements sont également exprimés à Paul Crozat de l'IEF pour son expertise dans l'ensemble des aspects hyper-fréquences et Eric Cassan et Suzanne Laval pour leurs fructueuses discussions. Enfin, ces travaux ont reçu des financements de la commission Européenne (projet HELIOS), et de l'Agence Nationale pour la Recherche (ANR) (projets SILVER et GOSPEL).
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BIBLIOGRAPHIE
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(1) - KOEHL (S.), LIU (A.), PANICCIA (M.) - Integrated silicon photonics : harnessing the data explosion. - OSA Optics and Photonics New, 22, p. 24-39 (2011).
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(2) - LIU (A.) et al - A high speed silicon optical modulator based on a metal-oxide-semiconductor capacitor. - Nature, 427, p. 615-618 (2004).
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(3) - SOREF (A.), BENNETT (B.R.) - Electro-optical effects in silicon. - IEEE J. Quant. Electron., 23(1), p. 123-129 (1987).
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(4) - LIU (A.), JONES (R.), LIAO (L.), SAMARA-RUBIO (D.), RUBIN (D.), COHEN (O.), NICOLAESCU (R.), PANICCIA (M.) - A high speed silicon optical modulator based on a metal-oxide-semiconductor capacitor. - Nature, 427, p. 615-618 (2004).
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(5) - LIAO (L.), SAMARA-RUBIO (D.), MORSE (M.), LIU (A.), HODGE (D.) - High speed silicon Mach-Zehnder modulator. - Optics Express, vol. 13, p. 3129-3135, avr. 2005.
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(6) - XU (Q.), SCHMIDT...
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