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Article

1 - RÉACTIONS CHIMIQUES

2 - TECHNIQUES DE FORMATION DES DÉPÔTS CHIMIQUES EN PHASE GAZEUSE

3 - CARACTÉRISTIQUES DES DÉPÔTS OBTENUS

4 - AVANTAGES ET INCONVÉNIENTS DU CVD. COMPARAISON AVEC D’AUTRES PROCÉDÉS DE DÉPÔT

5 - DOMAINES D’APPLICATION. PERSPECTIVES D’AVENIR

| Réf : M1660 v1

Techniques de formation des dépôts chimiques en phase gazeuse
Dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse

Auteur(s) : Sylvain AUDISIO

Date de publication : 10 janv. 1985

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Auteur(s)

  • Sylvain AUDISIO : Docteur ès Sciences, Ingénieur Génie Physique de l’Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA) - Laboratoire de Physico-chimie Industrielle de l’INSA - Expert près la Cour d’Appel de Lyon

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INTRODUCTION

Parmi les revêtements susceptibles de conférer des propriétés nouvelles aux surfaces qu’ils recouvrent, ceux obtenus par le procédé de dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse (Chemical Vapor Deposition : CVD) connaissent incontestablement un grand développement.

Ce procédé consiste à mettre un composé volatil du matériau à déposer en contact soit avec un autre gaz au voisinage de la surface à recouvrir, soit avec la surface en question, de façon à provoquer une réaction chimique donnant au moins un produit solide.

La température du substrat fournit l’énergie d’activation nécessaire pour déclencher la réaction chimique et favoriser, lorsqu’elle est suffisamment élevée (800 à 1 000 oC), la diffusion dans ce substrat des atomes apportés à la surface. Cette diffusion à l’état solide entraîne une modification des produits de la réaction et assure généralement une bonne adhérence au revêtement. Ce procédé permet d’obtenir des couches d’épaisseur variable de pratiquement tous les métaux, alliages ou composés métalliques, sur des matériaux conducteurs ou isolants. Il permet aussi d’obtenir, en plus des revêtements, des poudres fines ou des échantillons massifs.

L’appareillage pour l’obtention de ces dépôts varie considérablement suivant le type de dépôts que l’on désire (procédés isothermes, non isothermes, statiques, dynamiques, basse pression, etc.).

Les propriétés des revêtements (adhérence, porosité, stœchiométrie, pureté, etc.) sont généralement bonnes.

Les principaux domaines d’application du procédé CVD peuvent se classer en deux catégories suivant que le produit formé donne un revêtement (ou couche) sur un substrat, ou un produit solide indépendamment d’un substrat.

L’obtention d’un revêtement permet la protection contre l’usure mécanique (T iC, T iN, Al2O3 , etc.), la protection contre la corrosion et l’oxydation à haute température (Cr, Al, Si, etc.), la réalisation de composants pour la microélectronique (GaAs, Si, AlN, etc.).

La formation de produits solides conduit à des produits pulvérulents de grande pureté, à des monocristaux et permet de consolider des matériaux poreux ou frittés.

Les techniques CVD complètent et remplacent avantageusement d’autres modes de dépôts (évaporation sous vide, projection cathodique, électrodéposition, etc.). C’est pour cela qu’elles sont devenues prépondérantes dans des domaines industriels tels que l’aéronautique, l’électronique, la chimie, etc.

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VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-m1660


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2. Techniques de formation des dépôts chimiques en phase gazeuse

2.1 Procédés dits statiques

Dans ce type de procédé, la pièce à recouvrir est mise dans une enceinte close, en contact avec un cément généralement constitué par un mélange de l’élément donneur et d’un agent chimique convenablement choisi, d’où la dénomination pour ce procédé de cémentation en caisse ou pack cementation.

L’agent chimique, à la température de traitement, réagit avec l’élément donneur pour former in situ le composé gazeux du ou des corps à déposer (figure 2).

Des revêtements de chrome (chromisation), d’aluminium (calorisation ou aluminisation) ou de silicium (siliciuration) sont couramment formés par ce procédé afin de protéger des matériaux (aciers et alliages) contre la corrosion et l’oxydation à haute température.

Exemple

  • a ) Chromisation (procédé ONERA) :

    • cément : élément donneur (chrome en grains), agent chimique (NH4Cl, NH4F ) ;

    • température de traitement : 950 à 1 050 oC ;

    • durée du traitement : 4 à 8 h.

  • b ) Calorisation haute activité [4] :

    • cément : élément donneur (Cr 65 %-Al 35 %), diluant (Al2O3 ), agent chimique (NH4Cl) ;

    • température du traitement : 700 oC ;

    • durée du traitement : 6 à 10 h.

Le processus du dépôt peut être décrit de la manière suivante : les pièces à recouvrir sont placées au sein du cément, dans une enceinte semi-étanche qui est introduite dans un four maintenu à la température de traitement.

Au cours de la montée...

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