Bibliographie & annexes
Présentation
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RÉSUMÉ
Dans cet article, on s'intéresse aux différentes filières d'élaboration du dispositif photovoltaïque: tout d'abord , les avantages et les inconvénients de la première génération de cellules à base de silicium cristallin,principalement monocristallin et multicristallin; ensuite, les propriétés des cellules inorganiques en couches minces, à base de silicium ou d’autres éléments ; et enfin les concepts avancés pour atteindre des très hauts rendements. Le dernier paragraphe est consacré à l’état actuel du marché photovoltaïque en termes de production de modules et de leurs coûts et à la place de l’énergie photovoltaïque dans le portfolio de production mondiale de l’énergie.
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Abdelilah SLAOUI : Directeur de recherche CNRS Laboratoire des sciences de l’ingénieur, de l’informatique et de l’imagerie, ICUBE, CNRS et Université de Strasbourg
INTRODUCTION
La croissance constante de la demande en énergie et les limitations des ressources d’énergie fossiles, associées au réchauffement climatique annoncé, ont été depuis longtemps des facteurs très motivants pour le développement des cellules photovoltaïques les plus performantes et pour trouver des procédés innovants permettant de réduire drastiquement les coûts de fabrication.
Cet article fait suite à l’article [BE 8 578] sur les principes de la conversion photovoltaïque.
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VERSIONS
- Version archivée 1 de janv. 2007 par Jean-Claude MULLER
- Version archivée 2 de janv. 2013 par Abdelilah SLAOUI
- Version archivée 3 de avr. 2016 par Abdelilah SLAOUI
- Version courante de nov. 2024 par Abdelilah SLAOUI
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6. Glossaire
Bande interdite ; bandgap
Le terme de gap apparaît dans le cadre de la physique des semi-conducteurs lorsqu‘on considère la bande de valence et la bande de conduction de ceux-ci. Entre les deux bandes se trouve un intervalle d’énergie dans lequel un porteur de charge ne peut pas se retrouver : il s’agit d’une bande interdite. L’intervalle d’énergie entre les deux bandes est ce qu’on appelle le gap.
Silicium multicristallin ; Multicrystalline silicon
Plaquette en silicium constituée de plusieurs grains de quelques millimètres à quelques centimètres en taille.
Hétérojonction ; Heterojunction
Jonction constituée de deux matériaux de propriétés structurales différentes. Par exemple du silicium amorphe sur du silicium cristallin, ou de l’arsenure de gallium sur du germanium.
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Glossaire
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - GOETZBERGER (A.), LUTHER (J.), WILLEKE[nbsp ](G.) - Proc. 12th Int’I PVSEC Conf., Jeju, Korea - , p. 5 (2001).
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(2) - World Energy Outlook 2018 - International energy agency - , ISBN 978-92-64-12413-4 (2011).
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(3) - WOLDEN (C.A.) et al - J. Vac. Sci. Technol., A29, p. 3 - (2011).
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(4) - GREEN (M.A.), WANG (A.), ZHENG (G.F.), ZHANG (Z.), WENHAM (S.R.), ZHAO (J.), SHI[nbsp ](Z.), HONSBERG (C.B.) - Proc. 12th EC PVSEC Amsterdam, p. 776 - (1994).
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(5) - AUTHIER (B.H.) - German Patent (DOS), n° 25 0883 - (1975).
-
(6) - FALLY (J.), GUIGNOT (D.), GOEFFRON (L.) - Proc. 7th EC PVSEC, Sevilla, p. 754 - (1986).
-
...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU/PVSEC) http://www.photovoltaic-conference.com
IEEE Photovoltaic Specialist Conference (IEEE PVS) http://www.ieee-pvsc.org
European Materials Research Society Conference (E-MRS)
Journées Nationales sur le Photovoltaïque (JNPV)
HAUT DE PAGE
http://www.photovoltaique.info/Normes-et-guides-des-circuits.html
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