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2 - SOURCES OPTIQUES MODULÉES

3 - PHOTODÉTECTEURS

4 - MULTIPLEXEURS/ DÉMULTIPLEXEURS OPTIQUES

5 - AMPLIFICATEURS OPTIQUES

6 - FIBRE OPTIQUE

| Réf : E3330 v1

Optoélectronique hyperfréquence - Composants

Auteur(s) : Béatrice CABON, Jean CHAZELAS, Daniel DOLFI

Date de publication : 10 nov. 2003

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Auteur(s)

  • Béatrice CABON : Professeur à l’École nationale supérieure d’électronique et de radioélectricité de Grenoble (ENSERG) - Responsable du groupe RF, Hyperfréquences et Optomicroondes à l’Institut de microélectronique, électromagnétisme et photonique (IMEP)

  • Jean CHAZELAS : Directeur du Département technologies avancées, - Thales Airborne Systems

  • Daniel DOLFI : Responsable du Laboratoire Identification et traitement optique du signal - Thales Research & Technology

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INTRODUCTION

Le domaine de l’optoélectronique hyperfréquence est basé sur les composants optoélectroniques passifs et les composants optiques passifs ou passifs commandables.

La spécificité des composants optoélectroniques actifs pour la transmission ou le traitement des signaux hyperfréquences réside dans la fusion des deux technologies, optoélectronique et hyperfréquence, qui se caractérise par une adaptation des champs optique et hyperfréquence dans la propagation des signaux.

Autrement dit, les spécifications de bande passante, de linéarité, de dynamique des signaux hyperfréquences à traiter serviront de base à la conception des composants optoélectroniques de transduction ou convertisseurs électro- optiques (E/ O) et optoélectriques (O/ E).

Cet article sera focalisé sur les principaux types de composants entrant dans la conception de transmission en modulation d’amplitude de signaux analogiques hyperfréquences : convertisseurs E/O et O/ E, modulateurs optiques et amplificateurs.

Il sera complété par un état des principaux composants passifs permettant d’étendre les performances des liaisons optiques, le multiplexage fréquentiel pour les transmissions multiporteuses par exemple.

Enfin, les axes de développement en cours des composants actifs et passifs seront présentés dans un dernier article.

Les performances comparées des principaux composants optoélectroniques hyperfréquences, ainsi qu’une liste des principaux fournisseurs feront l’objet d’un document comparatif spécifique.

Nota :

Le présent article introduit donc une série consacrée à l’optoélectronique hyperfréquence :

Nota :

Le lecteur trouvera dans ce dernier fascicule Optoélectronique hyperfréquence[E 3 333] les noms et adresses Internet des principaux fournisseurs (liste non exhaustive).

Enfin, le lecteur consultera utilement les articles suivants, dans ce traité :

  • Interconnexions optiques  ;

  • Connectique optique  ;

  • Sources laser .

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VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e3330


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - WANG (J.S.) et al -   11 GHz bandwidth optical integrated recievers using GaAs MESFET and MSM technology.  -  IEEE Photonics Technologie Letters, vol. 5, no 3, p. 316-318 (1993).

  • (2) - HARARI (J.), VILCOT (J.P.), DECOSTER (D.) -   Metal Semiconductor Metal Photodetectors.  -  Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, vol. 12, p. 561-577 (1999).

  • (3) - BÖTTCHER (E.H.), DRÖGE (E.), BIMBERG (D.), UMBACH (A.), ENGEL (H.) -   Ultra-wide- band (> 40 GHz) submicron InGaAs Metal- Semiconductor-Metal photodetector.  -  IEEE Photon. Tech. Lett., vol. 8, no 9, p. 1226-1228, sept. 1996.

  • (4) - VAN ZEGHBROECK (B.J.) -   105-GHz bandwidth Metal - Semiconductor - Metal photodiode.  -  IEEE Electron Device Letters, vol. 9, no 19, p. 527-529 (1988).

  • (5) - DROGE (E.), BOTTCHER (E.H.), STEINGRUBER (R.) -   70 GHz InGaAs metal-semiconductor - metal photodetectors for polarisation- insensitive operation.  -  Electronics letters, vol. 34, p. 1421-1422 (1998).

  • ...

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