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RÉSUMÉ
Les diodes laser commercialisées actuellement sont élaborées à partir de puits quantiques, couches minces semi-conductrices d’épaisseur nanométrique. De nombreuses études sont aujourd’hui consacrées aux boîtes quantiques semi-conductrices, nanostructures capables de confiner les électrons à l’échelle du nanomètre dans toutes les directions de l’espace. Leurs caractéristiques supérieures à celles des diodes à puits quantique, notamment une réduction de la densité de courant de seuil et une plus grande stabilité en température, en font d’excellents candidats pour le marché des télécommunications optiques.
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INTRODUCTION
La réalisation de boîtes quantiques autoassemblées, nanostructures dans lesquelles l’électron est confiné dans les trois directions de l’espace, et la discrétisation des états électroniques qui en résulte, permettent d’envisager l’élaboration de diodes laser pour les télécommunications optiques avec des caractéristiques supérieures à celles des diodes laser à puits quantique, commercialisées actuellement.
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Diodes laser4. Conclusion
Les boîtes quantiques sont des nanostructures où l’électron est confiné dans les trois directions de l’espace. Il en résulte une densité d’états discrète, très favorable à l’élaboration de diodes laser à semi-conducteur, destinées en particulier au marché des télécommunications. Les principaux avantages sont une réduction de la densité de courant de seuil et une plus grande stabilité en température. La principale limite actuelle de la plupart des lasers à boîtes quantiques est un gain de saturation faible qui a pour conséquences une densité de courant seuil élevée et une émission depuis la transition de l’état excité (et donc une plus faible longueur d’onde). Cela est tout particulièrement le cas des lasers à boîtes quantiques de InAs/GaAs émettant à 1 300 nm et réalisés par MOCVD, technique propice à une future production industrielle. Les travaux actuels sont concentrés sur l’augmentation de la densité des boîtes quantiques.
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