Présentation
Auteur(s)
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Paul COSTA : Ingénieur général de l’Armement - Haut conseiller à l’Office National d’Études et de Recherches Aérospatiales (ONERA)
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Lire l’articleINTRODUCTION
Aavec la mise au point de techniques permettant d’élaborer des matériaux dont les dimensions sont nanométriques, un champ considérable s’est ouvert pour des matériaux nouveaux et des propriétés ont été découvertes qui relèvent de la physique (optique, électronique, magnétisme), avec déjà un ensemble très important d’applications industrielles, de la catalyse ou de la mécanique, avec toutefois, pour les matériaux structuraux, une limitation liée à la difficulté à accéder à des quantités de matière ou à des coûts pertinents. Parallèlement se sont développées des technologies permettant de façonner, par modulation de la composition ou par usinage à l’échelle nanométrique, des systèmes de matériaux et, de là, d’inventer des dispositifs qui sont la clef du futur en microélectronique et en informatique mais qu’il n’est pas possible d’évoquer pleinement ici en raison même de leur étendue.
Dans cet article, on se propose de passer en revue les propriétés et les principales applications des matériaux pour lesquels une phase au moins, déterminante pour certaines propriétés, a des dimensions inférieures à 100 nano- mètres.
Les structures et méthodes d’élaboration de ces matériaux sont développées dans l’article Nanomatériaux. Structure et élaboration Nanomatériaux- Structure et élaboration du même traité auquel le lecteur se reportera.
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4. Quelques grandes familles d’applications
4.1 Électronique et optoélectronique
Les techniques décrites au paragraphe 3 qui permettent de produire avec une fidélité parfaite des ensembles très rapides et présentant un niveau d’organisation très élevé ont, depuis plusieurs années déjà, ouvert la porte au VLSI (Very Large Scale Integration ) : intégration dans un dispositif unique des diverses fonctions élémentaires figurant de manière répétitive dans un ensemble électronique, et cela avec des densités d’éléments très élevées. Il n’aura pas échappé au lecteur qu’il s’agit là d’un sujet immense dont on se contentera de donner quelques exemples parmi les plus spectaculaires.
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Transistor à effet de champ
Le transistor à effet de champ (FET ) est un dispositif où le passage du courant est gouverné par influence électrostatique. Selon la valeur de la tension V appliquée à la porte (gate ), le courant électronique peut ou ne peut pas passer entre l’émetteur et le récepteur (figure 25). L’emploi d’une tension binaire pour V (0 ou 5 volts) permet d’utiliser les transistors à effet de champ comme interrupteurs dans les circuits. Le dispositif expérimental figurant sur la figure 22 est fondé sur ce principe.
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Dispositifs à effet tunnel résonnant
Les dispositifs à effet tunnel résonnant sont fondés sur l’utilisation d’un ensemble vertical de trois couches semi-conductrices, constituant un puits quantique. Dans la couche médiane (GaAs entre deux couches de Al0,3 Ga0,7 As par exemple), l’énergie des électrons est quantifiée. Il y aura résonance lorsque les électrons introduits dans le dispositif le sont à une énergie...
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