Présentation
Auteur(s)
-
Etienne DELHAYE : Ingénieur de l’École Nationale Supérieure des Télécommunications de Bretagne - Docteur Ingénieur de l’Université Scientifique et Médicale de Grenoble - Ingénieur de Recherche aux Philips Research Laboratories (Eindhoven)
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Lire l’articleINTRODUCTION
1. Introduction
1.1 Pourquoi les circuits intégrés III-V ?
1.2 Composants III-V
1.3 De la recherche au développement
2. Technologie des circuits intégrés III-V
2.1 Technologies alignées : un exemple
2.1.1 Couche active des MESFET
2.1.2 Étapes technologiques
2.2 Évolution
2.2.1 De nouveaux matériaux pour de nouveaux composants
2.2.2 Technologies autoalignées
3. Circuits numériques
3.1 Différents types de portes logiques
3.1.1 Logiques à MESFET à désertion
3.1.2 Logiques à MESFET à enrichissement
3.2 Réalisations des fonctions numériques
3.2.1 Bascules et diviseurs de fréquence
3.2.2 Circuits arithmétiques et réseaux de portes
3.2.3 Mémoires RAM statiques
3.3 Applications, performances et limitations des circuits intégrés numériques III-V
4. Circuits analogiques
4.1 Utilisation du MESFET dans les circuits analogiques jusqu’à 5 GHz
4.2 Applications et performances
4.3 Circuits intégrés hyperfréquences
Références bibliographiques
Cet article fait des emprunts à l’édition précédente rédigée par Marc Rocchi.
Retrouvez la totalité de cet article dans le PDF téléchargeable
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VERSIONS
- Version archivée 1 de déc. 1986 par Marc ROCCHI
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