| Réf : E1425 v1

MMIC - Évolution et technologie

Auteur(s) : Christian RUMELHARD

Date de publication : 10 févr. 2004

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NOTE DE L'ÉDITEUR

Cet article est la réédition actualisée de l’article E1425 intitulé « MMIC – Évolution et technologie » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD.

25/04/2016

RÉSUMÉ

Depuis l'apparition des premiers circuits MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits ou circuit intégré monolithique hyperfréquence), en 1975, cette technologie n'a cessé d'évoluer et a maintenant de nombreuses applications. Cet article présente les performances, technologies et outils de conception de ces circuits. Puis il détaille plus particulièrement les procédés et étapes technologiques tant pour les filières III-V que Silicium.

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Auteur(s)

  • Christian RUMELHARD : Professeur au Conservatoire national des arts et métiers - Laboratoire de physique des composants électroniques

INTRODUCTION

La première réalisation de circuits intégrés monolithiques analogiques micro-ondes (en anglais « Monolithic Microwave Integrated Circuits » MMIC) en 1975 a ouvert un nouveau domaine qui n’a cessé d’évoluer. Alors que son développement a d’abord été entraîné par des applications militaires, la plupart des applications sont maintenant civiles : soit des applications pour le grand public telles que les radiocommunications terrestres, soit des applications à hautes performances comme dans les répéteurs micro-ondes à bord de satellites. Cette évolution est rappelée dans la première partie de l’article. Une seconde partie est consacrée à la description rapide de la technologie. Cette description est destinée à faire comprendre les techniques de base qui sont employées et elle devrait permettre à des concepteurs de circuits de mieux saisir l’origine des variations statistiques des performances électriques inévitables et qui devront absolument être prises en compte dans la conception des circuits monolithiques.

Cette étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de plusieurs articles :

  • [E 1 425], traitant de l’évolution et de la technologie des MMIC,

  • qui passe en revue les composants passifs et actifs micro-ondes,

  • qui décrit les MMIC déphaseurs et amplificateurs,

  • qui traite de la modulation, démodulation et conversion de fréquence,

  • qui donne en exemple quelques photos de circuits.

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e1425


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - PENGELLY (R.S.) -   Broad band lumped element X-band GaAs FET amplifiers (Amplificateurs à FET GaAs à large bande et constitué d’éléments localisés)  -  , Proceedings of 5th European Microwave Conference, Sept. 1975, p. 301-305.

  • (2) - SZE (S.M.) -   Semiconductor Devices Physics and Technology (Physique et Technologie des Composants à Semi-conducteurs)  -  , John Wiley and Sons, 1985.

  • (3) - WILLIAMS (R.) -   Modern GaAs Processing Methods (Méthodes modernes pour le process de GaAs)  -  , Artech House, 1990.

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