Circuits intégrés silicium MOS

   Notations et symboles

   Introduction

   1 Structure d'un transistor MOS

   2 Fonctionnement d'un transistor MOS

   2.1 Équations de base et modèle simplifié

   2.11 Tension de seuil NMOS

   2.12 Caractéristiques statiques du NMOS

   2.13 Capacités parasites et modèle simplifié

   2.2 Effets correcteurs

   3 Technologies de réalisation

   3.1 Technologie NMOS

   3.2 Technologie CMOS caisson (N-well)

   3.3 Variantes

   4 Structures intégrées logiques

   4.1 Inverseur NMOS

   4.2 Inverseur CMOS

   4.3 Oscillateur en anneau et temps de propagation

   4.4 Cellules intégrées simples

   5 Structures intégrées analogiques

   5.1 Amplificateurs

   5.2 Filtres à capacités commutées

   6 Mémoires

   6.1 Différentes catégories

   6.2 Structure matricielle des mémoires à accès aléatoire

   6.3 Point mémoire RAM statique (SRAM)

   6.4 Point mémoire RAM dynamique (DRAM)

   6.5 Point mémoire ROM

   7 Sécurité de fonctionnement

   7.1 Dispersion des caractéristiques

   7.2 Protection des grilles des MOS d'entrée

   7.3 Verrouillage des CMOS (latch-up)

   7.4 Rayonnement α (noyaux d'hélium)

   7.5 Courant d'avalanche

   8 Taux de défauts et rendements

   9 Circuits intégrés MOS : évolution

   Bibliographie