La technologie HiPIMS bipolaire (bipolar High-Power Impulse Magnetron Sputtering) a récemment suscité un grand intérêt car elle permet de contrôler l’énergie des ions intervenant dans la formation de films minces fonctionnels. Cet article propose, premièrement, d’aborder les topologies de circuits électroniques communément utilisées dans un tel procédé ainsi que la problématique de la gestion des arcs électriques. Ensuite, l’effet du champ électromagnétique de la cathode sur les propriétés du plasma est étudié. Finalement, deux cas particuliers d’application sont abordés : la croissance de films de titane métallique sur substrats conducteurs et de dioxyde de titane sur substrats isolants.