Découvrez les principales tendances, limites et solutions possibles pour les dispositifs très fortement intégrés basés sur la technologie FD silicium sur isolant. Ces composants se montrent très prometteurs pour de nombreuses applications : mémoires, capteurs, électronique de puissance, communication RF.

Le SOI (silicium sur isolant) consiste en une épi-couche séparée du substrat de silicium par une mince couche d’un matériau isolant. Cette technologie, malgré un surcoût de fabrication, permet un important gain de performance qui en fait un substrat de choix pour les transistors.