Les mémoires non volatiles de demain (mémoires conservant les données même sans être alimentées, comme la mémoire Flash) sont sur le point de changer la donne dans le monde de l’électronique, et des chercheurs de la prestigieuse Cornell University, dans l’État de New-York, ont découvert un nouveau moyen de mesurer et d’optimiser leurs performances.
Utilisant un oscilloscope très rapide, les chercheurs ont compris comment mesurer la force du couple de courant induit utilisé pour écrire des informations dans la mémoire, appelé « Jonction tunnel magnétique », publiant leurs résultats dans le journal « Nature Physics ». Ces jonctions tunnels magnétiques sont composées de deux électrodes ferromagnétiques et d’un isolant les séparant. La résistance est différente en fonction de leur orientation, qu’elles soient parallèles ou non, et ce sont ces deux états qui créent la mémoire non volatile.
L’utilisation des champs magnétiques pour en inverser leur état magnétique nécessaire à l’écriture de l’information, a jusqu’ici freiné cette technologie, car il faut un champ conséquent, généré par un gros courant et d’épais fils pour effectuer ce changement. Les chercheurs de la Cornell University utilisent, eux, le spin de l’électron (lié au moment angulaire), générant une information moins gourmande en électricité et dégageant beaucoup moins de chaleur.
Pour mesurer ce spin, ils ont contrôlé les oscillations de résistance de la jonction tunnel une fois après y avoir appliqué un courant alternatif, à l’aide d’un oscilloscope. Comme la résistance dépend de l’orientation relative des deux électrodes de la jonction tunnel, la mesure de ces oscillations permettra alors de mieux comprendre ces mémoires non volatiles et de mieux les structurer.
Par Moonzur Rahman
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