La ministre de l’Economie s’est rendue vendredi sur le site de Crolles pour célébrer le lancement de la R&D dans le cadre de Nano 2012, avec pour chef de file STMicroelectronics. Cette visite a été l’occasion de donner plus de détails sur les objectifs de recherche du programme de soutien aux nanotechnologies.
STMicroelectronics, l’un des leaders mondiaux des semi-conducteurs, touché de plein fouet par la crise, avait annoncé en janvier la suppression de 4.500 emplois dans le monde. Mais cela ne remet pas en cause le programme de soutien aux nanotechnologies, dont le lancement a été célébré par Christine Lagarde vendredi 17 juillet. Citée par l’AFP, la ministre de l’Economie a salué « une démarche stratégique pour conserver sur le territoire français une fabrication fondée sur de l’investissement et de l’innovation à très forte dose ». Nano 2012 correspond à un investissement total de 2,3 milliards d’euros pour la R&D d’ici à 2012 sur le site de Crolles avec pour chef de file STMicroelectronics (ST) dont l’Etat détient 13,15 % du capital (rappelons que Crolles II avait mobilisé 1,5 milliard d’euros entre 2002 et 2007). La contribution de l’Etat et des collectivités territoriales s’élève à 457 millions d’euros. Le groupe franco-italien s’est engagé à créer 650 emplois directs dans le cadre de ce programme.
La recherche se fera en partenariat avec l’Inria, le CNRS, des universités, des PME et IBM, avec pour objectif de développer de nouvelles générations de semi-conducteurs au niveau nanoélectronique. Le pôle de Crolles travaille actuellement sur des gravures de circuits imprimés aussi fines que 32 nanomètres, et vise 22 nanomètres à l’horizon 2012. En juillet 2007, ST a rejoint l’Alliance de développement sur les semi-conducteurs, basée au centre de R&D en semi-conducteurs d’IBM à East Fishkill et Albany (Etat de New York), pour développer des technologies CMOS (Complementary metal oxide semiconductor) cœur et de basse consommation en traits de 32 à 22 nm, tandis qu’IBM rejoignait ST à Crolles pour développer des technologies CMOS dérivées pour applications spécifiques à valeur ajoutée.Les chercheurs s’intéressent à la technologie de radiofréquence dérivée en 45 nm pour les applications sans fil et à la technologie mémoire non-volatile dérivée en traits de 65 nm pour les cartes à puce et les applications automobiles. Selon ST, ces technologies permettront de créer des nouveaux produits qui consommeront moins d’énergie, fonctionneront plus longtemps sur batterie et seront plus rapides.C.G.
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